韩国a片

应袁小明教授邀请，湖南大学的沈征教授（学者）和王俊教授（学者）于7月7日来韩国a片 进行学术交流。

沈征教授作了题为《功率半导体器件发展动态与未来展望》的讲座。沈教授主要从功率半导体的应用与市场、发展历程、最新发展动态和未来展望三方面对功率半导体进行了介绍。从1960年晶闸管的研发开始，到如今宽禁带半导体作为科研领域未来的的热门研究方向，材料上功率半导体也在逐渐进行从Si到金刚石、SiC和GaN的转换。最后，沈教授指出，硅功率半导体20年内仍将主导电力电子市场，而宽禁带半导体的发展需要电力电子技术与电力半导体技术的有机结合。

王俊教授作了题为《高压大容量SiC BJT器件及应用基础问题的思考》的讲座。就现有的功率半导体的技术缺陷，王教授首先提出了四个问题：现有的SiC BJT通态电阻高、驱动功耗大、大容量SiC BJT串并联开关电压电流不均衡、缺乏适合SiC BJT的电力电子系统高频拓扑簇和基本控制理论。在此基础上，王教授提出了在器件机理级、智能驱动级、系统应用级等多个层面上对高压大容量SiC BJT进行多尺度的研究。

沈征，男，汉族，美籍华人。1964年12月出生于山东省淄博市，湖南大学电气与信息工程韩国a片 教授、博导，IEEE Fellow，IEEE电力电子学会副主席。沈征博士长期从事电力电子器件和电力电子电路系统及其在再生能源电力转换系统，新型电力传输系统，电能质量，汽车电子，高能效电源及变频器等领域的应用研究工作，发表高水平学术论文100余篇，获12项美国国家发明专利，包括发明世界首只亚毫欧姆Power MOSFET。

王俊，男，汉族。1979年7月出生于湖北省黄冈市，湖南大学电气与信息工程韩国a片 教授、博士生导师。近十年主要从事功率半导体器件及其在电力电子系统中应用的研究，研制了世界首个碳化硅ETO晶闸管，在国际高水平刊物和会议上已发表论文二十余篇，获2项美国国家发明专利。