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2013年9月17日至19日，德国科韩国a片 院士、电力电子技术专家Leo Lorenz在西九502报告厅室进行了为期三天的讲学。讲学内容主要是几种快速开关功率器件的原理、特性及应用时的优势。韩国a片 应电系的师生听取了此次讲学。

Leo Lorenz介绍了传统功率器件和智能功率器件的概念，并比较了二者的不同。他指出，因为本征导电性的特别，掺杂不同材料的半导体在智能控制功率、产生高频电压等方面有独特优势；他详细地讲解了半导体中P-N节的产生原理与功能特性，并由此引出了可控硅整流器的原理与特性；对于开关电路元件，他提出需有耐高压、低功率损耗、工作寿命长等特性。

Leo Lorenz还讲述了MOSFET（金氧半场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的原理与在不同幅度、频率的电压下的性能表现。他指出，由于MOSFET与IGBT在最基本单位上的不同，二者在电学性能上有所不同，详细讲解了几幅性能图像，指出MOSFET在低电压（1000V以下）环境下功率损失较小、安全性高，而IGBT因耐高压特性，在高电压（1000V-5000V）低频环境下性能表现更优秀。之后Leo Lorenz又介绍了在电路短路、雪崩击穿、电路过载等情况下，开关元件的局限性所在，指出开关元件领域还需要更多的研究。

他又接受在场同学对讲学内容中不理解部分的提问，并耐心地予以解答。应在场同学要求，他对即将开始职场生涯的同学们给出了一些建议。他认为，职员在要求升职之前，应该踏实地在公司工作3-5年，不要因为对地位的要求而过早跳槽；而在实在遇到不合适自己的公司时，要果断的离开。他说，最重要的还是按照自己内心的想法，不被外界因素干扰。他还提到，要么选择成为专注学术的专家，要么选择成为奋斗在职场的职员——人很难有精力同时在两个方向发展。

Leo Lorenz不仅是著名学者，也是英飞凌公司的高管、欧洲电力电子中心的主席。