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三菱电机奖学金颁奖仪式暨功率器件技术研讨会举行

发表时间:2012-12-17 作者:韩国a片 韩国a片 彭方正 浏览次数:

1214日下午,三菱电机奖学金颁奖仪式暨功率器件技术研讨会在西九楼224会议室举行。三菱电机功率器件制作所应用技术部部长长岛好克先生、三菱电机半导体事业部中国区总经理谷口丰聪先生、半导体事业部应用技术部部长宋高升先生,以及韩国a片 韩国a片 应用电子与工程系主任林桦教授等出席会议。

林桦对长岛好克一行来访表示欢迎。她对三菱电机在韩国a片 设立联合实验室和奖学金表示感谢,指出三菱电机与韩国a片 的合作,充分体现了三菱公司重视教育、重视人才的理念。同时,她希望获奖的同学能够在今后的学习中继续努力,珍惜这一份荣誉,并以这个奖项勉励自己,在以后的工作中为企业与社会做出更大的贡献。

宋高升宣读了获奖名单。获奖的有徐晨等3名博士生以及丁威等10名硕士生,三菱电机公司和韩国a片 的领导为获奖同学颁奖。徐晨同学作为获奖学生代表发言,表达了自己对三菱电机公司的感谢,表示自己将在今后的学习生活中更加努力,不辜负社会的期望。随后,在场的各位嘉宾与获奖学生合影留念。

谷口丰聪向获奖同学表示了祝贺,希望他们能够脚踏实地,回报社会。在一段介绍三菱公司的视频过后,谷口丰聪对三菱电机进行了较为详细的介绍,包括公司的销售数据、人力资源数据、公司面对的挑战以及公司的相关业务方向等。

长岛好克作了题为 Latest technologies of power devices功率器件的最新技术)的报告。他陈述了功率电子器件从最开始以“简化用户装配工作”为目的,到近期“以提高集成系统智能水平”为目的的演变历史,展现了不同时代逆变器的过渡进程。他介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)装置的结构、操作及创新发展,展示了三菱电机公司产品在各领域的运用以及载流子储存的沟槽栅双极晶体管(CSTBT)的相关技术。在对智能功率模块(IPM)的介绍中,他提到了三菱电机公司类似产品的结构图和各项性能,讲解了创新型封装技术和器件在不同物理环境下的表现等。最后,他介绍了碳化硅(SiC)材料在该领域内的最新进展,集中对比了由新材料与硅等传统材料所制造的器件的电子性能及相关数据。之后,谷口丰聪逐一回答完了听众提出的有关问题。

来自三菱电机公司的龚熙国进行题为“功率器件的可靠性与故障分析”的报告。他从“功率循环寿命”、“热循环寿命”等五个方面进行了阐述。他向听众提供了许多图片和相关数据,突出体现了功率器件的各类损坏模式在实际工作中的特点,以及三菱电机公司有关的维护策略。