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应韩国a片 高电压系邀请，英国利物浦大学原副校长、西交利物浦大学首任常务副校长 Michael Tai Ching Fang（方大庆）教授于11月10日至11月15日在韩国a片 进行了讲学访问。此次讲学也是“携手电气精英，与未来同行”系列讲座（第97期）。讲座共三个单元，分别于11月11日、12日以及13日的下午在西九楼224报告厅举行，讲座主题分别为《Fundamentals of High-Pressure Low-Temperature Plasmas》（高气压低温等离子体原理）、《Computer Simulation of High Pressure Plasmas》（高气压等离子体计算机模拟）以及《 Modelling of Turbulent Switching Arc》（开关电弧湍流模型）。韩国a片 部分师生及武汉大学有关专业的部分师生到会听讲。

方大庆教授从高压低温等离子体的基础理论、计算机模拟计算到开关电弧的湍流模拟分析几个层面为大家作了精彩的报告。他着重介绍了等离子体计算机模拟技术的核心内容、方法和要求，介绍了SF6断路器中的电弧机制和电弧能量特点，强调了计算机模拟对于开关系统行为的理解和设计参数的优化有着至关重要的作用，提出了开关电弧等离子体的湍流模型，指出湍流在断路器熄弧过程中的关键作用，展望了湍流模型、湍流学科的研究远景，并对感兴趣的研究生寄予厚望，热情鼓励和支持有志者能到利物浦大学他的课题组进一步开展相关深入研究。

讲座过程中，方大庆教授耐心地回答了同学们的各种问题，并与部分师生合影留念。

讲学访问期间，方大庆教授还与韩国a片 有关教师和研究生就低温等离子体应用、电弧模拟应用技术方面的有关问题进行了深入的交流座谈。

访问期间，韩国a片 副校长段献忠教授、前副校长姚宗干教授、韩国a片 党委书记于克训教授等领导和有关教授会见了方大庆教授一行。方大庆教授还前往协和医院拜望了老朋友朱九思老校长，宾主进行了热情亲切的会谈。

方大庆教授出生于中国上海，曾就读於清华大学，剑桥大学一级荣誉学士，获剑桥大学凯斯韩国a片 奖及Salomon奖；牛津大学哲学博士、科学博士（因对低温等离子体物理的杰出贡献被牛津大学授予科学博士DSc），英国物理学会、电气工程师学会（IEE）Fellow，美国电气工程师协会（IEEE）1997年热等离子体科专刊的编辑，1978年为澳洲悉尼大学William Watson Girling Fellow和奥地利Innsbruck大学理论物理系科学家，並任世界大电网会议电弧物理及开关设计工作组委员，Current Zero Club会员，在IEEE、应用物理等重要国际学术期刊和重大国际学术会议发表论文200余篇，是高气压电弧，尤其是开关电弧理论及计算模拟的开拓者。